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芯片失效分析方式總結(jié)，因?yàn)榧夹g(shù)，經(jīng)驗(yàn)，設(shè)備缺乏等原因，我們經(jīng)常會(huì)遇到需要委托第三方實(shí)驗(yàn)室測(cè)試的情況，那么第三方實(shí)驗(yàn)室測(cè)試都是怎么進(jìn)行的？有哪些分析項(xiàng)目呢？下面小編為大家總結(jié)，有沒說到的地方，歡迎留言補(bǔ)充，小編會(huì)及時(shí)加上去，希望能幫到大家。 UqFO|r"M  
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一、聚焦離子束，F(xiàn)ocused Ion beam JgKO|VO  
服務(wù)介紹：FIB（聚焦離子束，F(xiàn)ocused Ion beam）是將液態(tài)金屬離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)過離子槍加速，聚焦后照射于樣品表面產(chǎn)生二次電子信號(hào)取得電子像，此功能與SEM（掃描電子顯微鏡）相似，或用強(qiáng)電流離子束對(duì)表面原子進(jìn)行剝離，以完成微、納米級(jí)表面形貌加工。 -LoZs ru  
服務(wù)范圍：工業(yè)和理論材料研究，半導(dǎo)體，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，自然資源等領(lǐng)域 U3ADsdn  
服務(wù)內(nèi)容：1.芯片電路修改和布局驗(yàn)證               f}#~-.NGs  
          2.Cross-Section截面分析                 7u -p%eq2  
          3.Probing Pad                                
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          4.定點(diǎn)切割     G\/zkrxmv  
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二、掃描電鏡（SEM） V%7WUq  
服務(wù)介紹：SEM/EDX（形貌觀測(cè)、成分分析）掃描電鏡（SEM）可直接利用樣品表面材料的物質(zhì)性能進(jìn)行微觀成像。EDX是借助于分析試樣發(fā)出的元素特征X射線波長(zhǎng)和強(qiáng)度實(shí)現(xiàn)的，根據(jù)不同元素特征X射線波長(zhǎng)的不同來測(cè)定試樣所含的元素。通過對(duì)比不同元素譜線的強(qiáng)度可以測(cè)定試樣中元素的含量。通常EDX結(jié)合電子顯微鏡（SEM）使用，可以對(duì)樣品進(jìn)行微區(qū)成分分析。 Gv!2f  
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服務(wù)范圍：軍工，航天，半導(dǎo)體，先進(jìn)材料等 qOIyub  
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服務(wù)內(nèi)容：1.材料表面形貌分析，微區(qū)形貌觀察   7Utn\l  
          2.材料形狀、大小、表面、斷面、粒徑分布分析 KVoS C@w  
          3.薄膜樣品表面形貌觀察、薄膜粗糙度及膜厚分析 7{e 4c  
          4.納米尺寸量測(cè)及標(biāo)示 fa jGZyd0:  
          5.微區(qū)成分定性及定量分析 >a!/QMh  
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三、X-Ray )Ys x}vS