近日，國際標(biāo)準(zhǔn)化組織（ISO）正式發(fā)布了微束分析領(lǐng)域中的一項國際標(biāo)準(zhǔn)：“基于測長掃描電鏡的關(guān)鍵尺寸評測方法”（Microbeam analysis — Scanning electron microscopy — Method for evaluating critical dimensions by CD-SEM (ISO 21466)），該標(biāo)準(zhǔn)由中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理學(xué)院和微尺度物質(zhì)科學(xué)國家研究中心的丁澤軍團(tuán)隊主導(dǎo)制定，是半導(dǎo)體線寬測量方面的首個國際標(biāo)準(zhǔn)，也是半導(dǎo)體檢測領(lǐng)域由中國主導(dǎo)制定的首個國際標(biāo)準(zhǔn)，該標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布有助于促進(jìn)半導(dǎo)體評測技術(shù)的發(fā)展，并提升我國在半導(dǎo)體行業(yè)的國際影響力和競爭力。 v~P,OP("c  
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　　半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展日新月異，對集成電路器件加工尺寸的控制也要求日趨精細(xì)。芯片上的物理尺寸特征被稱為特征尺寸，其中最小的特征尺寸稱為關(guān)鍵尺寸（CD），其大小代表了半導(dǎo)體制造工藝的復(fù)雜性水平。對CD測量也可稱為納米尺度線寬測量，目前半導(dǎo)體的刻蝕線寬已經(jīng)降到10 nm以下，其測量的精準(zhǔn)性直接決定著器件的性能。納米器件尺度的準(zhǔn)確和精確（精度<1 nm）測量技術(shù)對半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展起著至關(guān)重要的作用，也是極具挑戰(zhàn)性的工作。人們已經(jīng)發(fā)展了多種測量技術(shù)手段，如散射測量、原子力顯微鏡、透射電子顯微鏡和掃描電子顯微鏡，而測長掃描電鏡（CD-SEM）是半導(dǎo)體工業(yè)生產(chǎn)中進(jìn)行實時監(jiān)控與線寬測量的最為簡便和高效的方法。然而，由于掃描電鏡的二次電子信號發(fā)射在線寬邊沿處的加強(qiáng)效應(yīng)，納米級線寬的CD-SEM圖像的解析需要建立高精準(zhǔn)算法。 +J X;T(T  
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