隨著電子設備和邏輯板的市場進一步增長，傳統(tǒng)硅的缺點日益凸顯，為此設計師和制造商一直在尋找更好，更智能的方法來制造這些重要組件。碳化硅就是這樣一個存在，由于碳化硅材料具有較大的禁帶寬度以及優(yōu)異的導熱性能，相比傳統(tǒng)硅技術，碳化硅技術可以兼得高頻和高壓這兩個重要特性。而且相同規(guī)格的碳化硅芯片只有硅芯片十分之一大小，不僅如此，基于碳化硅技術的系統(tǒng)應用中，更少的散熱需求和更小的被動元器件導致整個裝置的體積也大大減小。 BR?DW~7J j  
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因此碳化硅功率半導體在普通硅半導體中脫穎而出，在電子電力、光電子以及微波通訊等領域均有著廣闊的應用前景。 tC$+;_=+F  
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電力行業(yè)是SiC功率半導體的重要市場之一，特別是由于其在大功率應用場合中仍然有較低的功耗。以SiC為代表的第三代半導體具有禁帶寬、熱導率高，擊穿場強高，飽和電子漂移速率高，化學性能穩(wěn)定，硬度高，抗磨損，高鍵和高能量以及抗輻射等優(yōu)點，可廣泛用于制造高溫，高頻，高功率，抗輻射，大功率和高密集集成電子器件。 *L>usLh  
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用SiC制造的組件包括二極管，各種晶體管類型（例如MOSFET，JFET和IGBT）和柵極截止晶閘管，通過使用這樣的基本構(gòu)建塊，可以創(chuàng)建更小，更輕，效率極高的電源模塊，用于將電源切換到負載或從負載切換電源以及進行轉(zhuǎn)換。用SiC襯底開發(fā)的電力電子器件可用在輸變電、風力發(fā)電、太陽能、混合動力汽車等電力電子領域，降低電力損失，減少發(fā)熱量，高溫工作，提高效率，增加可靠性。 J0e
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早期用例，特斯拉已經(jīng)將意法半導體的基于SiC MOSFET的功率模塊集成到Model 3逆變器中。Model 3具有一個主逆變器，該逆變器需要24個電源模塊，每個電源模塊均基于兩個碳化硅MOSFET管芯，每輛汽車總共有48個SiC MOSFET管芯。這些MOSFET由位于意大利卡塔尼亞的意法半導體晶圓廠制造。 G@~
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早在2014年5月，豐田汽車宣布通過使用SiC功率半導體，將混合動力汽車的燃油效率提高10％（在日本國土交通省的JC08測試周期下），并減少了汽車的使用。與僅含Si功率半導體的當前PCU相比，功率控制單元（PCU）的尺寸縮小了80％。但由于SiC晶圓（基板）不足，豐田還未采用。 fM:bXR2Y'  
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在光電子領域，SiC材料具有與GaN晶格失配小、熱導率高、器件尺寸小、抗靜電能力強、可靠性高等優(yōu)點，是GaN系外延材料的理想襯底，由于其良好的熱導率，解決了功率型GaN-LED器件的散熱問題，特別適合制備大功率的半導體照明用LED，這樣大大提高了出光效率，又能有效的降低能耗。 [:e>FXV  
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在微波通訊領域，SiC作為一種寬帶隙的半導體材料，同時還具有較寬的工作頻帶，（0~400GHz），加之其優(yōu)異的高溫特性，高擊穿電場，高熱導率和電子飽和速率等特性，在微波通訊領域也占有一席之地。實現(xiàn)了通訊器件的高效能，高機動，高波段和小型化的，特別是在X波段以上的T/R組件，5G通訊基站中的應用備受關注。 A>F&b1  
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業(yè)內(nèi)人士指出，電動汽車行業(yè)是SiC應用前景zui廣闊的行業(yè)，SiC技術帶來的電池使用效率顯著提升以及電驅(qū)動裝置重量和體積的縮小正是電動汽車技術zui需要的。而就目前來看，工業(yè)電源行業(yè)是SiC普及和應用率較高的行業(yè)，使用碳化硅產(chǎn)品可以顯著提升工業(yè)領域的電能利用效率。 H&F2[