近日，中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員張子旸與國(guó)家納米中心研究員劉前合作，在Nano Letters上發(fā)表了題為5 nm Nanogap Electrodes and Arrays by a Super-resolution Laser Lithography的研究論文，報(bào)道了一種新型5nm超高精度激光光刻加工方法。 d[Zx [=h  
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傳統(tǒng)上，激光直寫可利用連續(xù)或脈沖激光在非真空的條件下實(shí)現(xiàn)無掩�？焖倏虒�，降低了器件制造成本，是一種有競(jìng)爭(zhēng)力的加工技術(shù)。然而，激光直寫技術(shù)由于衍射極限以及鄰近效應(yīng)的限制，很難做到納米尺度的超高精度加工。 z]D/Qr  
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蘇州納米所張子旸團(tuán)隊(duì)基于光熱反應(yīng)機(jī)理設(shè)計(jì)開發(fā)了一種新型三層堆疊薄膜結(jié)構(gòu)。在無機(jī)鈦膜光刻膠上，采用雙激光束（波長(zhǎng)為405nm）交疊技術(shù)（圖a），通過精確控制能量密度及步長(zhǎng)，實(shí)現(xiàn)了1/55衍射極限的突破（NA=0.9），達(dá)到了最小5nm的特征線寬。此外，研究團(tuán)隊(duì)利用這種超分辨的激光直寫技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了納米狹縫電極陣列結(jié)構(gòu)的大規(guī)模制備（圖b-c）。 +S'm<}"1  
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相較而言，采用常規(guī)聚焦離子束刻寫，制備一個(gè)納米狹縫電極需要10到20分鐘，而利用本文開發(fā)的激光直寫技術(shù)，可以一小時(shí)制備約5×105個(gè)納米狹縫電極，展示了可用于大規(guī)模生產(chǎn)的潛力。 D5:|CMQ  
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