失效分析常用方法匯總 EY@KWs3"H  
芯片在設(shè)計(jì)生產(chǎn)使用各環(huán)節(jié)都有可能出現(xiàn)失效，失效分析伴隨芯片全流程。 5&_R+g  
這里根據(jù)北軟檢測(cè)失效分析實(shí)驗(yàn)室經(jīng)驗(yàn)，為大家總結(jié)了失效分析方法和分析流程，供大家參考。 qga\icQr  
一、C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，屬于無(wú)損檢查: d*$x|B|V  
檢測(cè)內(nèi)容包含： `_x#`%!#2  
1.材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)、雜質(zhì)顆粒、夾雜物、沉淀物 24*3m&fA*K  
2.內(nèi)部裂紋 8l<~zIoO  
3.分層缺陷 E(