由UNIST能源與化學工程學院的李俊熙教授領導的研究小組提出了一種新的物理現(xiàn)象，該現(xiàn)象有望將指甲大小的存儲芯片的存儲容量提高1000倍。研究小組認為，這將為直接集成到硅技術中的最終致密的逐單元鐵電開關設備提供意想不到的機會。 2TE\4j  
)t*S'R  
鐵電隨機存取存儲器（FeRAM或FRAM）通過極化現(xiàn)象來存儲信息，其中電偶極子（如鐵電內部的NS磁場）被外部電場對準。 dv}8YH["  
m"5{D*|  
FeRAM已成為替代現(xiàn)有DRAM或閃存的下一代存儲半導體，因為它速度更快，功耗更低，甚至在電源關閉后仍能保留存儲的數(shù)據(jù)。但是，F(xiàn)eRAM的主要缺點之一是存儲容量有限。 lq~GcM  
"w>rlsT<O  
因此，為了增加其存儲容量，有必要通過減小芯片尺寸來集成盡可能多的設備。對于鐵電體，物理尺寸的減小導致極化現(xiàn)象的消失，該極化現(xiàn)象有助于將信息存儲在鐵電材料中。 7We?P,A\;