近日，中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所信息光學(xué)與光電技術(shù)實(shí)驗(yàn)室在計(jì)算光刻技術(shù)研究方面取得進(jìn)展，提出了一種基于協(xié)方差矩陣自適應(yīng)進(jìn)化策略（Covariance matrix adaptation evolution strategy, CMA-ES）與新型光源表征方法的光源掩模優(yōu)化技術(shù)（Source mask optimization, SMO）。仿真結(jié)果表明該技術(shù)的優(yōu)化性能與收斂效率優(yōu)于國(guó)際同類(lèi)技術(shù)。相關(guān)研究成果已發(fā)表在Optics Express。 ygSvYMC  

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光刻是極大規(guī)模集成電路制造的關(guān)鍵技術(shù)之一，光刻分辨率決定了集成電路的特征尺寸。隨著集成電路圖形的特征尺寸不斷減小，光刻系統(tǒng)的衍射受限屬性導(dǎo)致明顯的光學(xué)鄰近效應(yīng)，降低了光刻成像質(zhì)量。在光刻機(jī)軟硬件不變的情況下，采用數(shù)學(xué)模型和軟件算法對(duì)照明模式、掩模圖形與工藝參數(shù)等進(jìn)行優(yōu)化，可有效提高光刻分辨率/增大工藝窗口，此類(lèi)技術(shù)即計(jì)算光刻技術(shù)（Computational Lithography），被認(rèn)為是二十一世紀(jì)推動(dòng)集成電路芯片按照摩爾定律繼續(xù)發(fā)展的新動(dòng)力。 &7m)K>E27  
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SMO通過(guò)同時(shí)優(yōu)化照明光源和掩模圖形提高成像質(zhì)量，是實(shí)現(xiàn)28nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)集成電路制造的關(guān)鍵計(jì)算光刻技術(shù)之一。中國(guó)科學(xué)院上海光機(jī)所研究團(tuán)隊(duì)提出了一種基于CMA-ES與新型光源表征方法的SMO技術(shù)。利用CMA-ES優(yōu)化光源和掩模，采用秩1更新和秩μ更新自適應(yīng)調(diào)整表征解向量搜索空間分布的協(xié)方差矩陣，使得較優(yōu)解向量具有更大的概率在后代中再次產(chǎn)生，并通過(guò)控制全局搜索步長(zhǎng)調(diào)整解向量搜索空間的范圍。用一組預(yù)設(shè)數(shù)目的位置可調(diào)的單位強(qiáng)度理想光源點(diǎn)表征光源，通過(guò)優(yōu)化這些光源點(diǎn)的位置實(shí)現(xiàn)光源優(yōu)化。利用不同光源表征方式和多種掩模圖形進(jìn)行驗(yàn)證，仿真結(jié)果表明該SMO技術(shù)的優(yōu)化性能與收斂效率優(yōu)于國(guó)際上常見(jiàn)的基于啟發(fā)式算法的SMO技術(shù)。 2<GN+Wv[#  
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相關(guān)研究得到了國(guó)家02科技重大專(zhuān)項(xiàng)和上海市自然科學(xué)基金項(xiàng)目的支持。 9HJA:k*k|  
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