日本開發(fā)用于新一代半導(dǎo)體的新型晶體管結(jié)構(gòu)
目前量產(chǎn)的最先進(jìn)工藝是臺積電、三星的5nm,明年有望量產(chǎn)3nm工藝,再往后的2nm工藝需要全新的技術(shù),制造難度更高,是大國爭搶的制高點之一。在先進(jìn)工藝上,目前臺積電、三星及Intel等幾家實力強(qiáng)大,日本公司主要是在光刻膠、硅片等材料有較大優(yōu)勢,但日本也沒有放棄先進(jìn)工藝上的努力。 ![]() 據(jù)日本媒體報道,日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所與中國臺灣半導(dǎo)體研究中心(TSRI)等展開合作,開發(fā)了用于新一代半導(dǎo)體的新型晶體管結(jié)構(gòu)。 相比其他技術(shù),該技術(shù)將硅(Si)和鍺(Ge)等不同溝道材料從上下方堆疊、使“n型”和“p型”場效應(yīng)晶體管靠近的名為“CFET”的結(jié)構(gòu)。 |