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臺(tái)積電1nm取得重要進(jìn)展 逼近硅芯片的物理極限

發(fā)布:cyqdesign 2021-05-18 07:49 閱讀:2554
前不久,IBM公布了2nm技術(shù)路線,讓人倍感振奮。雖然摩爾定律速度放緩,但硅晶片微縮的前景依然廣闊。不過(guò),2nm之后就是1.5nm、1nm,硅片觸及物理極限。日前,臺(tái)大、臺(tái)積電和麻省理工共同發(fā)布研究成果,首度提出利用半金屬Bi作為二維材料的接觸電極。 5D3&E_S  
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它可以大幅降降低電阻并提高電流,使其效能媲美硅材料,有助于半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)對(duì)未來(lái)1納米世代的挑戰(zhàn)。 ajRht