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中國分子束外延技術(shù)發(fā)展歷程 分子束外延(以下簡稱MBE)是一種化合物半導(dǎo)體多層薄膜的物理淀積技術(shù)。其基本原理是在超高真空條件下，將組成薄膜的各元素在各自的分子束爐中加熱成定向分子束入射到加熱的襯底上進(jìn)行薄膜生長(圖1)。由于每一臺(tái)分子束爐的爐口裝有一個(gè)能快速開閉的快門，因而生長時(shí)能快速改變所生長材料的成分及摻雜種類。MBE技術(shù)是在20世紀(jì)60年代末由美國貝爾實(shí)驗(yàn)室首先發(fā)展起來的。MBE技術(shù)具有生長速度較慢且可控、表面及界面平整、材料組成及摻雜種類變化迅速、生長襯底溫度低等特點(diǎn)，因而被廣泛用來生長組分及摻雜分布陡峻的突變異質(zhì)結(jié)和復(fù)雜的多層結(jié)構(gòu)。 |
