用作太陽能電池的半導體最重要的特性包括電子和"空穴"的流動性和壽命，這兩個量都可以用太赫茲或微波輻射的光譜方法進行無接觸的測量。然而，在文獻中發(fā)現(xiàn)的測量數(shù)據(jù)往往相差幾個數(shù)量級。這使得人們很難用它們來對材料質(zhì)量進行可靠的評估。 "%^_.Db>|  
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在HZB的Dennis Friedrich博士的飛秒激光實驗室里，半導體的傳輸特性可以用太赫茲或微波光譜學來確定。為此，激光脈沖首先激發(fā)材料中的電荷載流子，然后用電磁波（太赫茲或微波）照射這些載流子，并吸收其中的一部分。 1aRTvaG
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Thomas Unold博士領導的HZB團隊成員Hannes Hempel介紹說，他們想找出這些差異的根源，他們聯(lián)系了總共15個國際實驗室的專家，以分析測量的典型誤差來源和問題。HZB的物理學家們將波茨坦大學的Martin Stolterfoht博士團隊制作的參考樣品送到每個實驗室，并對過氧化物半導體化合物（Cs,FA,MA）Pb（I,Br）3）的穩(wěn)定性進行了優(yōu)化。 !fn%Q'S  
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聯(lián)合工作的一個成果是用太赫茲或微波光譜學對傳輸特性進行了明顯更精確的測定，能夠達成明顯更好的結(jié)果一致性。該研究的另一個結(jié)果是有了可靠的測量數(shù)據(jù)和更先進的分析，太陽能電池的特性也可以得到更精確的計算。 0Pf88