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北京理工大學(xué)在拓?fù)湮⒓{光子器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

發(fā)布:cyqdesign 2022-05-18 22:14 閱讀:2090
近日,北京理工大學(xué)物理學(xué)院路翠翠教授等人,提出利用光子晶體晶格平移和旋轉(zhuǎn)等方式構(gòu)建多頻率合成維度拓?fù)?/span>態(tài)的方法,實(shí)現(xiàn)了芯片上拓?fù)洳屎?span onclick="sendmsg('pw_ajax.php','action=relatetag&tagname=納米',this.id)" style="cursor:pointer;border-bottom: 1px solid #FA891B;" id="rlt_8">納米光子器件,研究成果發(fā)表在Nature Communications上。 F+zHgE  
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以光子為信息載體的微納全光器件在光通信、光信息處理、光計(jì)算等領(lǐng)域有著重要應(yīng)用,是實(shí)現(xiàn)下一代光子芯片的核心元器件。器件尺寸越小,越有利于集成,然而,越小的器件性能受結(jié)構(gòu)參數(shù)誤差影響通常越大。拓?fù)涔庾討B(tài)由于受到拓?fù)浔Wo(hù),與傳統(tǒng)的光子態(tài)相比,具有魯棒性和抗干擾等優(yōu)點(diǎn),因此拓?fù)鋺B(tài)為微納全光器件的實(shí)現(xiàn)提供了新平臺(tái)。頻率作為光子的自由度,是傳輸信息的基本載體,因此多頻率傳輸是實(shí)現(xiàn)大數(shù)據(jù)信息處理的關(guān)鍵。已有的拓?fù)涔庾訉W(xué)報(bào)道幾乎都是針對特定能帶和特定頻段進(jìn)行研究,例如單向傳輸、高階拓?fù)、拓(fù)?span onclick="sendmsg('pw_ajax.php','action=relatetag&tagname=激光',this.id)" style="cursor:pointer;border-bottom: 1px solid #FA891B;" id="rlt_5">激光等,而在同一個(gè)結(jié)構(gòu)中實(shí)現(xiàn)多頻率拓?fù)鋺B(tài)的微納器件面臨困難。 B_c-@kl   
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北京理工大學(xué)物理學(xué)院路翠翠等人提出基于晶格平移和旋轉(zhuǎn)的光子晶體合成維度方法,用于構(gòu)建片上集成的多頻率拓?fù)湮⒓{光子器件,開辟了拓?fù)洳屎缥⒓{光子器件的研究方向。受Applied Physics Letters主編邀請,撰寫了“Perspective on the topological rainbow”的觀點(diǎn)展望文章(Sayed Elshahat, Chenyang Wang, Hongyu Zhang, Cuicui Lu,* Appl. Phys. Lett. 119, 230505, 2021)。由于器件受到拓?fù)浔Wo(hù),在經(jīng)歷結(jié)構(gòu)縮放、隨機(jī)誤差、材料缺陷或雜質(zhì)干擾等情況時(shí),只要光子晶體帶隙不閉合,這類基于合成維度的拓?fù)洳屎缥⒓{器件性能不受破壞而穩(wěn)定存在。 suX^"Io%!  
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圖1.(a)樣品電鏡圖;(b)樣品測試示意圖;(c)散射式近場光學(xué)顯微鏡實(shí)驗(yàn)裝置圖。
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通過發(fā)展近場光學(xué)顯微鏡技術(shù),對合成維度光子晶體拓?fù)洳屎缂{米器件的表面電場給出了直接表征,每個(gè)光子晶格的電場分布清晰可見,不同頻率下的拓?fù)鋺B(tài)電場最大值出現(xiàn)在不同的晶格位置,在納米尺度芯片上實(shí)現(xiàn)了顯著的拓?fù)洳屎缧?yīng)。發(fā)展的無孔散射式近場光學(xué)表征技術(shù)具有顯著優(yōu)點(diǎn):樣品的形貌和光學(xué)信號(hào)能夠同步測量,因此可以直接提供光子晶體不同位置的電場振幅信號(hào);無孔的原子力顯微鏡(AFM)探針由于其針尖只有20 nm尺寸,因此能夠深入到單個(gè)光子晶體空氣孔中,具有極高的分辨率。此外采用波導(dǎo)端面耦合激發(fā)方式提高激發(fā)效率,利用光纖收集樣品表面光纖信號(hào)同時(shí)具有高收集效率和低背景噪聲等優(yōu)勢。這也是在納米尺度上第一個(gè)片上集成的拓?fù)洳屎绻庾悠骷,建立了拓(fù)涔庾訉W(xué)前沿研究與硅基光子學(xué)成熟工藝的橋梁,為促進(jìn)拓?fù)涔庾訉W(xué)物理概念向光子芯片器件應(yīng)用的轉(zhuǎn)化提供了思路和機(jī)會(huì)。 SX?hu|g_r  
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圖2.(a)樣品設(shè)計(jì)圖示例;(b)計(jì)算的不同波長在合成維度光子晶體表面的光強(qiáng)分布;(c)樣品原子力顯微鏡形貌圖;(d)實(shí)驗(yàn)測得的不同波長在合成維度光子晶體表面的表面光強(qiáng)分布,不同波長被囚禁在界面不同晶格位置。