近日，中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所信息功能材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室狄增峰研究團(tuán)隊(duì)基于鍺基石墨烯襯底開發(fā)出晶圓級(jí)金屬電極陣列轉(zhuǎn)印技術(shù)，在二維材料與金屬電極的大面積無(wú)損范德華集成研究方面取得進(jìn)展。5月23日，相關(guān)研究成果以Graphene-assisted metal transfer printing for wafer-scale integration of metal electrodes and two-dimensional materials為題，發(fā)表在《自然-電子學(xué)》（Nature Electronics）上。   {?EEIfg  
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基于新結(jié)構(gòu)和新原理的二維半導(dǎo)體器件展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用前景，有望解決硅基器件在極限尺寸下面臨的問題。然而，二維材料原子級(jí)厚度使其在半導(dǎo)體先進(jìn)制程中顯得過分脆弱。特別在金屬電極生長(zhǎng)工藝中，濺射離子轟擊、殘留化學(xué)污染、較高工藝溫度等因素均易對(duì)二維材料造成損傷或無(wú)意摻雜，形成非理想金屬/二維半導(dǎo)體界面，使二維半導(dǎo)體器件實(shí)際性能與預(yù)期性能存在差異。因此，針對(duì)高性能二維半導(dǎo)體器件研制，亟需發(fā)展一種具有普適性的電極制作工藝，能夠?qū)崿F(xiàn)任意金屬與二維材料的高質(zhì)量歐姆或肖特基接觸。   8zQ_xE  
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