近年來，二維層狀半導(dǎo)體由于其無懸掛鍵表面、原子級薄的結(jié)構(gòu)、豐富的激子類型和能谷特性以及強(qiáng)空間限制等優(yōu)異的化學(xué)和物理特性，已成為發(fā)展片上激光源和放大器非常有前途的增益材料。利用二維層狀半導(dǎo)體作為增益材料的激光源，具有超小體積、低閾值和易于發(fā)射的優(yōu)點(diǎn)。然而，這些激光源制備工藝較為復(fù)雜且工作波段主要在紅光區(qū)域，極大限制了其商業(yè)應(yīng)用。層狀半導(dǎo)體InSe，當(dāng)其厚度大于6nm時轉(zhuǎn)變?yōu)橹苯訋�隙半�?dǎo)體，可以同時用作增益介質(zhì)和光學(xué)腔，并且不需要外部光學(xué)腔，可以進(jìn)一步與自上而下的光刻工藝兼容。因此InSe用于發(fā)展相干光子源具有獨(dú)特的吸引力。此外，InSe展現(xiàn)出超塑性變形能力，通過施加外部壓力來改變InSe的晶格結(jié)構(gòu)、原子間距和層間距離，可以進(jìn)一步調(diào)控InSe的電子帶隙，有望發(fā)展超寬譜多色光源。 [6g$;SicT  
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