近日，中科院微電子研究所在非晶銦鎵鋅氧化物（a-IGZO）晶體管領(lǐng)域取得重要進(jìn)展。據(jù)悉，a-IGZO被視為實(shí)現(xiàn)高密度三維集成的最佳候選溝道材料之一。三維集成技術(shù)的本質(zhì)是為提高晶體管在芯片上的集成密度。因此，對(duì)于兼容后道工藝的a-IGZO晶體管來說，探索其尺寸的極限微縮是實(shí)現(xiàn)高密度三維集成的關(guān)鍵。 `
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