第四代半導(dǎo)體特點(diǎn)和燒結(jié)銀 *'s&/vEy  
隨著2018年特斯拉采用碳化硅（SiC）、2020年小米在快充上使用氮化鎵開(kāi)始，第三代半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)三四十年的發(fā)展終于獲得市場(chǎng)認(rèn)可迎來(lái)發(fā)展機(jī)遇。此后，第三代半導(dǎo)體在新能源車(chē)、消費(fèi)電子等領(lǐng)域快速發(fā)展開(kāi)來(lái)，并逐漸從熱門(mén)場(chǎng)景向更多拓展場(chǎng)景探索。 zR_9D}  
在第三代半導(dǎo)體發(fā)展得如火如荼之際，氧化鎵、氮化鋁、金剛石等第四代半導(dǎo)體材料也開(kāi)始受到關(guān)注。其中，氧化鎵( Ga2O3 )是被國(guó)際普遍關(guān)注并認(rèn)可已開(kāi)啟產(chǎn)業(yè)化的第四代半導(dǎo)體材料。 9[B<rz  
氧化鎵( Ga2O3 ) 在耐壓、電流、功率、損耗等維度都有其優(yōu)勢(shì)，此前被用于光電領(lǐng)域的應(yīng)用，直到2012年開(kāi)始，業(yè)內(nèi)對(duì)它更大的期待是用于功率器件，全球80%的研究單位都在朝著該方向發(fā)展。 TZ)(ZKX*R  
一、第四代半導(dǎo)體特點(diǎn)：功耗更小成本更低 VNr!|bp5  
功率半導(dǎo)體最看重的是擊穿場(chǎng)強(qiáng)、導(dǎo)通電阻、遷移率、介電常數(shù)等參數(shù)，禁帶寬度更寬的材料，天然具有更耐高溫、耐輻射、耐高壓、導(dǎo)通電阻低的特點(diǎn)。氧化鎵的禁帶寬度為4.9eV，而氮化鎵為3.39eV，碳化硅為3.2eV，硅為1.1eV；在耐壓能力上，氧化鎵、氮化鎵、碳化硅、硅的擊穿場(chǎng)分別為8、3.3、2.5、0.3MV/cm；在評(píng)估材料特性的巴利加優(yōu)值BFOM上，氧化鎵、氮化鎵、碳化硅、硅分別為3440、536、344、1，數(shù)值越大，導(dǎo)通特性就越好；不過(guò)在散熱率上，氧化鎵的熱導(dǎo)率僅0.27w/cm·k，要低于氮化鎵（2.1 w/cm·k）、碳化硅（2.7 w/cm·k）、硅（1.2 w/cm·k），現(xiàn)在工業(yè)界通過(guò)封裝已經(jīng)搞定散熱，效果很好。 tPQ2kEW  
二、第四代半導(dǎo)體燒結(jié)銀特點(diǎn)：高可靠性高導(dǎo)熱 &IxxDvP3k  
推薦使用AS9385加壓燒結(jié)銀作為第四代半導(dǎo)體的封裝材料，此系列產(chǎn)品具有可靠性高，導(dǎo)熱系數(shù)高，熱阻低等特點(diǎn)，是高功率器件封裝的好幫手。 Z8N@e<!*~8  
AS9385和氧化鎵、氮化鋁、金剛石等材料有很好的兼容性和粘結(jié)效果。