近期，中國科學院上海
光學精密機械研究所高
功率激光單元技術(shù)實驗室研究團隊采用改進的化學氣相沉積技術(shù)結(jié)合液相摻雜
工藝（MCVD）制備出了國內(nèi)第一根低損耗Bi/P共摻石英基
光纖，并且在國內(nèi)首次實現(xiàn)了E波段寬帶放大，相關(guān)成果以“High gain E-band amplification based on the low loss Bi/P co-doped silica fiber”為題發(fā)表在Chinese Optics Letters上。
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