美國東北大學(xué)科學(xué)家主導(dǎo)的國際科研團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)了一種新形式的高密度硅，并開發(fā)出一種新型可擴(kuò)展的無催化劑蝕刻技術(shù)，能將這種硅制成直徑為2—5納米的超窄硅納米線。這一成果發(fā)表于最新一期《自然·通訊》雜志，有望給半導(dǎo)體行業(yè)帶來革命性變化，還有望應(yīng)用于量子計(jì)算等領(lǐng)域。 TKH!,Ow9A  
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十年前，東北大學(xué)研究人員在實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)了擁有“非常非常微小”線狀納米結(jié)構(gòu)的硅。此后的計(jì)算機(jī)建模顯示，這種材料擁有高壓縮結(jié)構(gòu)，尺寸比普通硅小10%—20%，而普通硅在這種壓縮狀態(tài)下通常不穩(wěn)定。研究表明，新型硅頂部有很薄一層氧化物，這可能有助于讓其維持壓縮狀態(tài)。 XfZ^,'z  
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