NOR閃存以速度快、可靠性高和使用壽命長(zhǎng)等優(yōu)勢(shì)，在人工智能、汽車電子和工業(yè)領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用。目前，普遍使用的平面NOR閃存在50納米以下技術(shù)代的尺寸微縮遇到瓶頸，難以進(jìn)一步提升集成密度、優(yōu)化器件性能以及降低制造成本。為突破上述瓶頸，科研人員提出多種基于多晶硅溝道的三維NOR（3D NOR）器件，但多晶硅溝道遷移率低、讀取速度慢，影響NOR器件整體性能。 }/Y)^