近年來，面對持續(xù)高漲的芯片需求，半導(dǎo)體行業(yè)生產(chǎn)迎來了高難度挑戰(zhàn)——對芯片工藝要求更精細(xì)，從5nm到3nm，甚至是2nm�！跋冗M封裝”的提出，是對技術(shù)的新要求，也是對封裝工藝中材料和設(shè)備的全新考驗。 +(y>qd  
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芯片身上布控著幾千萬根晶體管，而晶體管越小，可放置的晶體管越多，性能也將越高。芯片的進化就是晶體管變小的過程。晶體管密度更大、占用空間更少、性能更高、功率更低，但挑戰(zhàn)也越來越難以克服。小尺寸下，芯片物理瓶頸越來越難以克服。尤其在近幾年，先進節(jié)點走向10nm、7nm、5nm......白光3D輪廓測量儀適配芯片制造生產(chǎn)線，致力于滿足時下半導(dǎo)體封裝中晶圓減薄厚度、晶圓粗糙度、激光切割后槽深槽寬的測量需求，助力半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展。 xG w?'\  
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W1白光3D輪廓測量儀X/Y方向標(biāo)準(zhǔn)行程為140*100mm，滿足晶圓表面大范圍多區(qū)域的粗糙度自動化檢測、鐳射槽深寬尺寸、鍍膜臺階高、彈坑等微納米級別精度的測量。 )$h-ZYc  
臺階高精確度：0.3% cd+^=esSO  
臺階高重復(fù)性：0.08 % 1σ k% NrL@z  
縱向分辨率：0.1nm ?b"Vj+1:x  
RMS重復(fù)性：0.005nm 3>M.]w6{  
橫向分辨率（0.5λ/NA）：0.5um~3.7um *F|+2?a:$  
特點：粗糙度測量、彈坑測量、測量尺寸6英寸以下。 gwJ}]Tf  
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W3白光3D輪廓測量儀X/Y方向標(biāo)準(zhǔn)行程為300*300mm，超大規(guī)格平面、兼容型12英寸真空吸附盤能檢測12寸及以下尺寸的Wafer；氣浮隔振設(shè)計&吸音材質(zhì)隔離設(shè)計，確保儀器在千級車間能有效濾除地面和聲波的振動干擾，穩(wěn)定工作；自動化測量半導(dǎo)體晶圓。 *_#&"(P  
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半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)ｍ椆δ?span style="display:none"> bO
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1.同步支持6、8、12英寸三種規(guī)格的晶圓片測量，一鍵即可實現(xiàn)三種規(guī)格的真空吸盤的自動切換以配適不同尺寸晶圓； nd;O(s;  
2.具備研磨供以后減薄片的粗糙度自動測量功能，一鍵可測量數(shù)十個小區(qū)域的粗糙度求取均值； T\fudmj&  
3.具備劃片工藝中激光鐳射開槽后的槽道深寬輪廓數(shù)據(jù)測量功能，可以一鍵實現(xiàn)槽道深寬相關(guān)的面和多條剖面線的數(shù)據(jù)測量與分析； _0m}z%rI  
4.具備晶圓制造工藝中鍍膜臺階高度的測量，覆蓋從1nm~1mm的測量范圍，實現(xiàn)高精度測量。 7PA=)a\