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中國科大研制出氧化鎵垂直槽柵場效應(yīng)晶體管 功率半導(dǎo)體器件是電力電子系統(tǒng)中的核心元件，主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路中的大功率，應(yīng)用場景包括工業(yè)控制、可再生能源與新能源系統(tǒng)、電動汽車、軌道交通等。隨著新能源汽車等行業(yè)的發(fā)展及其不斷提高的對電力系統(tǒng)控制能力的要求，以及傳統(tǒng)的Si等半導(dǎo)體材料逐步接近物理極限，氧化鎵作為新一代功率半導(dǎo)體材料，其禁帶寬帶大、擊穿場強高，有望在未來功率器件領(lǐng)域發(fā)揮重要的作用。另外，氧化鎵半導(dǎo)體材料能夠采用熔體法生長，未來在成本上將比SiC和GaN等材料更具優(yōu)勢。目前，氧化鎵材料面臨一個重要的難點：難以實現(xiàn)氧化鎵的p型摻雜，這導(dǎo)致氧化鎵場效應(yīng)晶體管面臨著增強型模式難以實現(xiàn)和功率品質(zhì)因數(shù)難以提升等問題。氧化鎵垂直場效應(yīng)晶體管適應(yīng)于制備高壓大電流器件，相較于制備水平結(jié)構(gòu)的MBE樣品，其材料具有較低成本。氧化鎵垂直晶體管的若干種結(jié)構(gòu)中，F(xiàn)inFET雖然性能較為優(yōu)異，但工藝難度大，難以實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。因此急需設(shè)計新結(jié)構(gòu)氧化鎵垂直型晶體管，攻克增強型晶體管所需要的電流阻擋層技術(shù)（Currentblocking layer），并運用電流阻擋層制備出新設(shè)計的氧化鎵垂直柵槽晶體管。 在本次報道的工作中，分別采用了氧氣氛圍退火和氮（N）離子注入工藝制備了器件的電流阻擋層，并配合柵槽刻蝕工藝研制出了不需P型摻雜技術(shù)的氧化鎵垂直溝槽場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)。氧氣氛圍退火和N離子注入所形成的電流阻擋層均能夠有效隔絕晶體管源、漏極之間的電流路徑，當施加正柵壓后，會在柵槽側(cè)壁形成電子積累的導(dǎo)電通道，實現(xiàn)對電流的調(diào)控。氧化鎵在氧氣氛圍退火能夠在表面形成補償型缺陷，從而形成高阻層。氧氣氛圍退火工藝是氧化鎵較為獨特的一種技術(shù)手段，這種方式的靈感來源于硅工藝的成功秘訣之一——半導(dǎo)體硅的氧氣氛圍退火。類似于硅在氧氣氛圍退火可形成高阻表面層，氧化鎵采用該手段制備電流阻擋層（相比于離子注入）具有缺陷少、無擴散、成本低等特點。N離子注入MOSFET基于工業(yè)化高能離子注入設(shè)備，采用N離子注入摻雜工藝，當N注入濃度為5×1018cm-3時，制備的垂直槽柵MOSFET閾值電壓達到4.2V（@1A/cm2），飽和電流密度高達702.3A/cm2，導(dǎo)通電阻10.4mΩ·cm2。此外，通過調(diào)節(jié)N離子注入濃度，器件的擊穿電壓可達到534V，為目前電流阻擋層型氧化鎵MOSFET器件最高值，功率品質(zhì)因數(shù)超過了硅單極器件的理論極限。兩項工作為氧化鎵晶體管找到了新的技術(shù)路線和結(jié)構(gòu)方案。  圖1(a)氧化鎵垂直槽柵場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)示意圖；(b)器件工作原理示意圖；(c)N離子注入晶體管的輸出曲線；(d)與已報道的氧化鎵垂直場效應(yīng)晶體管的性能比較。 該研究得到了國家自然科學基金、中國科學院戰(zhàn)略性先導(dǎo)研究計劃、中國科學院前沿科學重點研究計劃、廣東省重點領(lǐng)域研究發(fā)展計劃及中國科學院微電子研究所微電子器件與集成技術(shù)重點實驗室開放課題的資助，也得到了中國科學技術(shù)大學微納研究與制造中心、信息科學實驗中心、行星探索與前瞻性技術(shù)前沿科學中心，中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所納米加工平臺、納米真空互聯(lián)實驗站（Nano-X），以及中科院納米器件與應(yīng)用重點實驗室的支持。 APL論文鏈接：https://doi.org/10.1063/5.0130292 IEEE EDL論文鏈接：https://ieeexplore.ieee.org/document/10013743 |
