光刻膠是集成電路芯片大規(guī)模制造的關(guān)鍵材料，在技術(shù)發(fā)展到深紫外（DUV）、極紫外（EUV）光刻階段后，光刻膠對光源的敏感度不足，大大推高了光刻機(jī)及其配套光源的制造難度和成本。 g0~m[[
 
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近日，清華大學(xué)核能與新能源技術(shù)研究院新型能源與材料化學(xué)團(tuán)隊(duì)將高效的巰基-乙烯點(diǎn)擊化學(xué)技術(shù)與多官能團(tuán)金屬氧化物納米團(tuán)簇光刻膠技術(shù)相結(jié)合，全球首次提出了“點(diǎn)擊光刻”新思路、新方法，并成功制得了超高感光度光刻膠樣品。國際權(quán)威機(jī)構(gòu)的光刻測試結(jié)果表明，這種材料能在極低曝光劑量下實(shí)現(xiàn)高對比度成像。在深紫外光刻中最高感光度為7.5 mJ cm^-2，與傳統(tǒng)的光刻膠體系相比所需曝光劑量降低了約20倍。 h Q Att  
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與此同時，通過低劑量電子束光刻（10-40 μC cm^-2）獲得線寬分辨率為45nm的密集圖形，展示了其應(yīng)用于高分辨率光刻的能力。接下來作者還對制備得到的基于點(diǎn)擊反應(yīng)的氧化鋯光刻膠的后加工性質(zhì)、抗刻蝕能力以及圖形轉(zhuǎn)移能力等進(jìn)行了初步研究。 4cm~oZ  
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該研究成果不但可以有力支持新型高效光刻膠的開發(fā)，更有望帶來光刻機(jī)及其配套光源系統(tǒng)設(shè)計(jì)、制造、運(yùn)行的重大變革，大大降低難度和成本，有可能開辟光刻機(jī)技術(shù)新賽道，對集成電路技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)發(fā)展產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。該技術(shù)也可以在其他高效、高精度納米制造領(lǐng)域發(fā)揮重大作用。 |L;Hd.l7^*  
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上述研究成果以“巰基-乙烯點(diǎn)擊光刻的超高感光特性”（Exceptional Light Sensitivity by Thiol–Ene Click Lithography）為題發(fā)表在《美國化學(xué)會志》（Journal of the American Chemical Society）上。 KPK`C0mg@k  
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論文的共同通訊作者為清華大學(xué)核能與新能源技術(shù)研究院新型能源與材料化學(xué)實(shí)驗(yàn)室徐宏副教授和何向明研究員，第一作者為清華大學(xué)博士后王倩倩。該研究獲得國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目、北京市科委項(xiàng)目和清華大學(xué)自主科研項(xiàng)目的資助。清華大學(xué)高性能計(jì)算中心提供了計(jì)算資源的支持。 muK)Yw[#N  
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論文鏈接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.2c11887