晶圓在加工過程中的形貌及關(guān)鍵尺寸對器件的性能有著重要的影響，而形貌和關(guān)鍵尺寸測量如表面粗糙度、臺階高度、應力及線寬測量等就成為加工前后的步驟。以下總結(jié)了從宏觀到微觀的不同表面測量方法：單種測量手段往往都有著自身的局限性，實際是往往是多種測量方法配合使用。此外，除表面形貌和臺階測量外，在晶圓制程中需要進行其他測量如缺陷量測、電性量測和線寬量測。通過多種測量方式的配合，才能保證器件的良率和性能。 &Z(K6U#.  
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半導體晶圓表面形貌的測量可以直接反映晶圓的質(zhì)量和性能。通過對晶圓表面形貌的測量，可以及時發(fā)現(xiàn)晶圓制造中的問題，比如晶圓的形貌和關(guān)鍵尺寸測量如表面粗糙度、臺階高度、應力及線寬測量等，這些因素都會直接影響晶圓制造和電子元器件的質(zhì)量。以下是幾種晶圓表面形貌及臺階高度的測量方法： :B3[:Mp
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1、光學3D表面輪廓儀 OsBo+fwT  
SuperViewW系列光學3D表面輪廓儀以白光干涉掃描技術(shù)為基礎(chǔ)研制而成，以光學非接觸的掃描方式對樣品表面微觀形貌進行檢測。其輪廓尺寸測量功能支持納米級別的臺階高和微米級別的平面尺寸測量，包含角度、曲率等參數(shù)；可用于半導體減薄片、鍍膜片晶圓IC的粗糙度、微觀輪廓測量。 v+p{|X-  

圖片:圖片1.jpg

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