在先進集成電路制造工藝中，納米環(huán)柵器件（GAA）正在取代FinFET成為集成電路中的核心器件。垂直納米環(huán)柵器件由于在減小標準單元面積、緩解柵極長度限制、提高集成密度和改善寄生電容/電阻等方面具有獨特的優(yōu)勢，成為先進邏輯和DRAM技術(shù)方面的重要研究方向。  ^^(ZK 6