摘要 Q<D_QJ  
yv]|Ce@8A  

圖片:1-231212162159159.png

w.J$(o(/  
tF-l=ph}`  
元件內(nèi)部場(chǎng)分析器：FMM允許用戶可視化和研究微結(jié)構(gòu)和納米結(jié)構(gòu)內(nèi)部的電磁場(chǎng)分布。為此，使用傅立葉模態(tài)法/嚴(yán)格耦合波分析（FMM/RCWA）計(jì)算周期性結(jié)構(gòu)（透射或反射、電介質(zhì)或金屬）內(nèi)部的場(chǎng)。還可以指定場(chǎng)的哪一部分應(yīng)該可視化：正向模式、反向模式或兩者同時(shí)顯示。 ;qUB[Kw  
j0~c2  
元件內(nèi)部場(chǎng)分析儀：FMM z7:* ,X  
e4Qjx*[G  
fUY05OMZ  
元件內(nèi)部場(chǎng)分析器：FMM是光柵光學(xué)裝置的獨(dú)有功能，可提供光柵結(jié)構(gòu)內(nèi)部電磁場(chǎng)的可視化。 .-T P1C  
8N"WKBj|_d  
評(píng)估模式的選擇 L"
dN $ A  
   $MQ<Q
P  
.),9qz`  
為了更容易地區(qū)分入射場(chǎng)、反射場(chǎng)和透射場(chǎng)，可以?xún)H評(píng)估正向或反向傳播模式，或者評(píng)估兩者的總和。 \ILNx^$EL  
'&,p>aM  
評(píng)價(jià)區(qū)域的選擇 Da8gOZ  
   .xT{Rz  

圖片:1-23121216263M27.png

/({oN1X>i  
S _U |w9q  
元件內(nèi)部場(chǎng)分析器：FMM可以輸出整個(gè)元件（包括基板）內(nèi)部的場(chǎng)，或者只輸出一個(gè)堆�；蚧鶋K（基板）中的場(chǎng)。 MbInXv$q2/  
6QT&{|q=  
不同光柵結(jié)構(gòu)的場(chǎng)分布 Cc{{9Ud  
>m;nt}f'+  
任意形狀的光柵結(jié)構(gòu)可以通過(guò)元件內(nèi)部場(chǎng)分析儀進(jìn)行分析。以下是幾個(gè)例子： mejNa(D ^  
MS#*3Md&y  
1twpOZ>  
光柵結(jié)構(gòu)的采樣 -eh .Tk  
S},Cz  
雖然分析儀為輸出數(shù)據(jù)提供了一些采樣選項(xiàng)，但系統(tǒng)中定義的光柵表面必須正確采樣（例如，分解點(diǎn)和過(guò)渡點(diǎn)的層數(shù)足夠）。 g)$KN,gGuO  
k\SqDmv  

圖片:1-231212162P94N.png

.s4v*bng  
V0 Z8VqV  
分解預(yù)覽展示了如何根據(jù)當(dāng)前采樣因子對(duì)光柵結(jié)構(gòu)進(jìn)行采樣。 n^|xp;] :  
(gVN<Es  
光柵結(jié)構(gòu)的充分采樣意味著已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了收斂，即進(jìn)一步增加采樣不會(huì)顯著影響產(chǎn)生的場(chǎng)。例如，如果層分解過(guò)于粗糙，則可能會(huì)由于縱斷面中的大臺(tái)階而產(chǎn)生其他影響。 )hQ]>o@i{  
P=<lY},  
P/WGB~NH  
輸出數(shù)據(jù)的采樣：一維周期光柵（Lamellar） =ca[*0^Z7  
|1A0YjOD  
I2RXw  
對(duì)于1D周期性（片狀）光柵，分析儀使用對(duì)話框“采樣”部分中指定的參數(shù)生成2D橫截面圖像。 2-
Q5l*  
W(Sni[c{  
輸出數(shù)據(jù)的采樣：二維周期光柵 xgkCN$zQ`  
*! 
:j$n;  
當(dāng)分析的光柵設(shè)置為2D Periodic時(shí)，F(xiàn)ield Inside Component Analyzer：FMM將通過(guò)結(jié)構(gòu)生成一系列二元截面，z方向的采樣參數(shù)決定執(zhí)行的切割次數(shù)。 oO3^9?Z