請問各位前輩 h9@gs,'   
已知LD條件為光源發(fā)射面為一橢圓面，長軸3 短軸1 (單位:micrometer) 遠(yuǎn)場發(fā)散角為8度及40度 #$9U=^Z[  
若使用Source Diode Cf8R2(-4  
雖然有兩發(fā)散角(x-divergence y-divergence)可設(shè)定 p1[WGeV  
但其所建立的光源為一點光源 2}W6{T'  
若使用Source Two Angle，雖然可以設(shè)定光源初始面的大小、角度，但看手冊上的說明其強度分布又好像是均勻? #)IdJ]  
至于Source Ellipse感覺又無法把已知的條件當(dāng)做設(shè)定套入 c/,|[t  
請求前輩們不吝指教  這問題困惑我半年了 THX ! ,58kjTM  

你有nsce詳細(xì)說明書嗎 4%W
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我找了好久了，能給我分享一下嗎？
$(!D/bvJ  
wjp1009@126.com bC>yIjCTn  
先謝謝了

行行行

我是nanuto9527,有緣啊樓主，能給我一份么？

解決了嗎