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技術(shù)背景 p}zk&`
隨著極紫外光刻（EUV）、空間激光通信等領(lǐng)域的精度需求逼近物理極限，傳統(tǒng)接觸式加工已難滿足需求。本文對比兩種前沿工藝： 4kF . 1. 反應(yīng)離子束刻蝕（RIBE） 2 Yd~v| - 優(yōu)勢： M-K@n$k
各向異性刻蝕（縱橫比>10:1），適合微棱鏡陣列加工 - 原子級去除（0.1nm/cycle），理論面型精度可達λ/50
^W[`##,{Od 瓶頸： - 設(shè)備成本高（>200萬美元）
- 大曲率元件邊緣刻蝕均勻性控制（需動態(tài)束流校正）
2. 飛秒激光誘導(dǎo)等離子體加工（FLIP） FRQ("6( - 創(chuàng)新點： S!!\!w>N
利用非線性吸收效應(yīng)（閾值~2J/cm²），實現(xiàn)亞波長結(jié)構(gòu)直寫 - 加工熱影響區(qū)（HAZ）<50nm，避免晶格相變
f=O>\ 挑戰(zhàn)： - 重復(fù)定位精度需達±0.1μm（對運動平臺要求極高）
- 表面粗糙度Ra>1nm，需后續(xù)輔助拋光
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