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- 注冊時(shí)間2025-02-04
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技術(shù)背景 _;;'/rs
j 隨著極紫外光刻(EUV)、空間激光通信等領(lǐng)域的精度需求逼近物理極限,傳統(tǒng)接觸式加工已難滿足需求。本文對比兩種前沿工藝: *@XJ7G[ 1. 反應(yīng)離子束刻蝕(RIBE) )CYm/dk - 優(yōu)勢: -FAAP&LG
各向異性刻蝕(縱橫比>10:1),適合微棱鏡陣列加工 - 原子級去除(0.1nm/cycle),理論面型精度可達(dá)λ/50
S690Y]:h$v 瓶頸: - 設(shè)備成本高(>200萬美元)
- 大曲率元件邊緣刻蝕均勻性控制(需動(dòng)態(tài)束流校正)
2. 飛秒激光誘導(dǎo)等離子體加工(FLIP) C&&*6E5 - 創(chuàng)新點(diǎn): 1YGj^7V)|Z
利用非線性吸收效應(yīng)(閾值~2J/cm²),實(shí)現(xiàn)亞波長結(jié)構(gòu)直寫 - 加工熱影響區(qū)(HAZ)<50nm,避免晶格相變
^[7ZB
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