美國標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究所（NIST）最近宣稱他們發(fā)明了一種新的內(nèi)存技術(shù)：柔性記憶電阻技術(shù)。這是一種新型的記憶電阻技術(shù)。這種記憶電阻是由鈦氧化物制成，鈦 氧化物是制作防曬油和牙膏等的常見材料�？茖W(xué)家們用這種氧化物制成柔性透明聚合物薄片，并在上面制出觸點，便可將其用于制造記憶電阻。這種記憶體可以在低 于10v的電壓下工作，而且斷電后也可以保存數(shù)據(jù)，材料的伸縮壽命是4000次。 #?