美國標準技術研究所（NIST）最近宣稱他們發(fā)明了一種新的內存技術：柔性記憶電阻技術。這是一種新型的記憶電阻技術。這種記憶電阻是由鈦氧化物制成，鈦 氧化物是制作防曬油和牙膏等的常見材料�？茖W家們用這種氧化物制成柔性透明聚合物薄片，并在上面制出觸點，便可將其用于制造記憶電阻。這種記憶體可以在低 于10v的電壓下工作，而且斷電后也可以保存數(shù)據(jù)，材料的伸縮壽命是4000次。 az~4sx$+}  
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NIST的研究小組把用溶膠-凝膠法制備的液態(tài)鈦氧化物噴涂在透明薄片上，并在室溫下干燥，如此得到的產(chǎn)品可以在掉電狀態(tài)下將數(shù)據(jù)保持14天。 0[g8  
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上世紀70年代，人們首次提出了記憶電阻的概念，不過直到2008年惠普才開發(fā)出了有關的實際產(chǎn)品。記憶電阻可以在沒有電流通過的情況下保存數(shù)據(jù)，而電阻的阻值會隨著電流數(shù)值和電流方向的變化而發(fā)生明顯的變化。  L2[|g~  
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正常狀態(tài)下，這種電阻的阻值很低，而如果改變電流方向則會出現(xiàn)阻值大幅增加的現(xiàn)象。這樣就可以被應用在內存中，用來模擬數(shù)字信號的“0”和“1”。而這種阻值狀態(tài)即使長時間掉電也不會發(fā)生變化，因此可以隨時通過測量電阻的阻值來得到存儲在其中的信息。NIST發(fā)明的記憶電阻技術則可以在掉電狀態(tài)下將數(shù)據(jù)保存14天。 {w.rcObIw+  
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柔性記憶電阻技術可以用于制造柔性芯片，后者用途廣泛，醫(yī)學上還可以用于制造心率/血流監(jiān)視器。