《半導(dǎo)體材料與器件表征技術(shù)》詳細(xì)介紹了現(xiàn)代半導(dǎo)體工業(yè)中半導(dǎo)體材料和器件的表征技術(shù)，基本上覆蓋了所有的電學(xué)與光學(xué)測(cè)試方法，以及非常專業(yè)的與半導(dǎo)體材料相關(guān)的物理和化學(xué)測(cè)試方法。作者不但論述了測(cè)量中的相關(guān)物理問題及半導(dǎo)體材料與器件的參數(shù)的物理起源和物理意義，還將自己和他人的經(jīng)驗(yàn)?zāi)�結(jié)其中，并給出了具體測(cè)量手段，同時(shí)指出不同手段的局限性和測(cè)量注意事項(xiàng)。 e_h`x+\:  
本版經(jīng)修訂及擴(kuò)展，增加了許多逐漸成熟起來的表征技術(shù)，如從探測(cè)硅晶圓中金屬雜質(zhì)的掃描探針到用于無接觸式電阻測(cè)量的微波反射技術(shù)。本版特色如下： (GJX[$@  
增加了可靠性和探針顯微技術(shù)方面的全新內(nèi)容；增加了大量例題和章后習(xí)題；修訂了500幅圖例；更新了超過1200條參考文獻(xiàn)；采用了更合適的單位制，而不是嚴(yán)格的MKS單位制。 8(@Y@`/  
《半導(dǎo)體材料與器件表征技術(shù)》可作為碩士、博士研究生的教材，也可供高校教師、半導(dǎo)體工業(yè)研究人員參考使用。 1,Uf-i  
DIETER K.SCHRODER是亞利桑那州立大學(xué)電子工程系教授，亞利桑那州立大學(xué)工程學(xué)院教學(xué)杰出貢獻(xiàn)獎(jiǎng)獲得者，曾著《現(xiàn)代MOS器件》一書。 yyv<MSU8  
全書共分電學(xué)表征、光學(xué)表征和物理表征三個(gè)部分，主要對(duì)半導(dǎo)體材料和器件表征技術(shù)作了介紹，具體內(nèi)容包括電阻率、載流子和摻雜濃度、載流子壽命、光學(xué)表征、物理化學(xué)特性的表征等�！栋雽�(dǎo)體材料與器件表征技術(shù)》在國外被廣泛選用為研究生專業(yè)課教材及工程技術(shù)人員的參考書，并在文獻(xiàn)中被大量引用。 1\LK[tvh  

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第1章 電阻率 +*=?0