愛爾蘭丁鐸爾國家研究院的科學(xué)家最近宣稱他們成功制出了業(yè)內(nèi)首款非節(jié)型晶體管，并稱此項(xiàng)發(fā)明對(duì)10nm級(jí)別制程意義重大，可大大簡化晶體管的制造工藝復(fù)雜 程度。這種晶體管采用類似Finfet的結(jié)構(gòu)，將晶體管的柵極制成婚戒型的結(jié)構(gòu)，并在柵極中心制出硅質(zhì)溝道，溝道的尺寸僅有數(shù)十個(gè)原子的直徑加起來那么大。 z`UhB%-?  

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該研發(fā)團(tuán)隊(duì)是由Jean-Pierre Colinge教授領(lǐng)導(dǎo)的，這種晶體管的亞閥值斜率接近理想狀態(tài)，而且還具備漏電電流小，門限電壓低以及耐溫性好的優(yōu)點(diǎn)，而且還可以兼容于CMOS工藝。 L>yJ  
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硅溝道中的電流由環(huán)繞在溝道周圍的柵極控制，Colinge教授表示這種晶體管的結(jié)構(gòu)與1925年人們提出的理想晶體管的結(jié)構(gòu)非常相似，不過目前為止還沒有人能夠按這種結(jié)構(gòu)制造出實(shí)際的器件。 ZOCDA2e(j  
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目前還不知道這種技術(shù)何時(shí)能被投入實(shí)用，這項(xiàng)技術(shù)目前仍處于原型機(jī)研制階段，要投入實(shí)用預(yù)計(jì)還需要等上數(shù)年。