新型太赫茲半導(dǎo)體激光器研發(fā)成功
美國哈佛大學(xué)和英國利茲大學(xué)的一個聯(lián)合研究小組最近演示了一種新型太赫茲半導(dǎo)體激光器,其發(fā)射的太赫茲光波準(zhǔn)直性能與傳統(tǒng)太赫茲光源相比顯著改善。該激光器的研發(fā)成功,為太赫茲科技的應(yīng)用打開了更廣闊的領(lǐng)域。哈佛已經(jīng)為此提交了一系列專利申請。這一進(jìn)展發(fā)布在8月8日的《自然·材料》雜志上。 新型太赫茲激光器突破了傳統(tǒng)材料的限制,研究人員刻了一組亞波長光柵,直接加倍了超材料晶面的光流量,設(shè)備以3太赫茲(百億赫茲)的頻率發(fā)射光線(波長為100微米,在可見光譜中屬于遠(yuǎn)紅外線),大大降低了這些半導(dǎo)體激光器的散射角度,同時保持了光能的高輸出功率。 這種超材料被直接嵌入光學(xué)設(shè)備的高吸收性砷化鎵晶面上,在演示中能看到,人造光顯示出深淺不同的微米光柵,各具不同的功能。淺藍(lán)色的狹縫能將輸出的激光功率加倍,導(dǎo)向并限定在晶體表面。 |