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日本Phoeton公司展示SiC半導(dǎo)體用激光退火裝置

發(fā)布：cyqdesign 2011-01-21 21:15 閱讀：3490
日本Phoeton公司在目前正舉辦的“INTER NEPCON”（2011年1月19～21日，東京有明國際會展中心）上，介紹了SiC半導(dǎo)體用激光退火裝置。該裝置設(shè)想用于背面電極中采用的金屬層的歐姆（Ohmic）化。據(jù)Phoeton介紹，該公司預(yù)定在2011年2月提供首臺SiC半導(dǎo)體用激光退火裝置。另外，還預(yù)定在2012年開始供貨定位為“量產(chǎn)機型”的裝置。 $Y_S`#c@i  
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