日本Phoeton公司在目前正舉辦的“INTER NEPCON”（2011年1月19～21日，東京有明國際會展中心）上，介紹了SiC半導體用激光退火裝置。該裝置設想用于背面電極中采用的金屬層的歐姆（Ohmic）化。據(jù)Phoeton介紹，該公司預定在2011年2月提供首臺SiC半導體用激光退火裝置。另外，還預定在2012年開始供貨定位為“量產機型”的裝置。 qd{|"(9B  
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　　Phoeton公司擁有從2009年就開始供貨硅半導體用激光退火裝置的業(yè)績。這是一種IGBT等縱型構造元件的制造工藝中所需要的、用于使晶圓背面實現(xiàn)活性化的裝置。利用通過該裝置積累的經驗，Phoeton此次開發(fā)出了SiC半導體專用裝置。 @Gn9x(?J  
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　　Phoeton公司表示，硅半導體用途是對整個晶圓進行退火，而SiC半導體用途則要求“對晶圓的一部分進行局部退火”。而原來硅半導體專用裝置的激光照射方法無法滿足該要求，因而Phoeton此次對激光照射方法進行了全面改進。 "t_]