真空蒸鍍就是置待鍍材料和被鍍基板于真空室內，采用一定方法加熱待鍍材料，使之蒸發(fā)或升華，并飛行濺射到被鍍基板表面凝聚成膜的工藝。在真空條件下成膜可減少蒸發(fā)材料的原子、分子在飛向基板過程中于分子的碰撞，減少氣體中的活性分子和蒸發(fā)源材料間的化學反應（如氧化等），以及減少成膜過程中氣體分子進入薄膜中成為雜質的量，從而提供膜層的致密度、純度、沉積速率和與基板的附著力。通常真空蒸鍍要求成膜室內壓力等于或低于10-2Pa，對于蒸發(fā)源與基板距離較遠和薄膜質量要求很高的場合，則要求壓力更低。 hiA\~}sl n  
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· 能在金屬、半導體、絕緣體甚至塑料、紙張、織物表面上沉積金屬、半導體、絕緣體、不同成分比的合金、化合物及部分有基聚合物等的薄膜，其適用范圍之廣是其它方法無法與之比擬的； .QwB7+V4  
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· 可以不同的沉積速率、不同的基板溫度和不同的蒸氣分子入射角蒸鍍成膜，因而可得到不同顯微結構和結晶形態(tài)（單晶、多晶或非晶等）的薄膜； [6_.Y*}N  
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· 薄膜的純度很高； KRcB_(  
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· 易于在線檢測和控制薄膜的厚度與成分。厚度控制精度最高可達單分子層量級； cL;%2TMk  
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