LED是利用化合物材料制成pn結(jié)的光電器件。它具備pn結(jié)結(jié)型器件的電學(xué)特性：I-V特性、C-V特性和光學(xué)特性：光譜響應(yīng)特性、發(fā)光光強(qiáng)指向特性、時(shí)間特性以及熱學(xué)特性。 BtkOnbz8X  
  1、LED電學(xué)特性 ^UP`
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  1.1 I-V特性 表征LED芯片pn結(jié)制備性能主要參數(shù)。LED的I-V特性具有非線性、整流性質(zhì)：單向?qū)щ娦�，即外加正偏壓表現(xiàn)低接觸電阻，反之為高接觸電阻。 0yk]o5a++  
  如左圖： ^pp\bVh2Q]  
  (1) 正向死區(qū)：（圖oa或oa′段）a點(diǎn)對于V0 為開啟電壓，當(dāng)V＜Va，外加電場尚克服不少因載流子擴(kuò)散而形成勢壘電場，此時(shí)R很大；開啟電壓對于不同LED其值不同，GaAs為1V，紅色GaAsP為1.2V，GaP為1.8V，GaN為2.5V。 Kn5~d(:  
  （2）正向工作區(qū)：電流IF與外加電壓呈指數(shù)關(guān)系 ;AG8C#_  
  IF = IS (e qVF/KT –1) -------------------------IS 為反向飽和電流 。 ~[t[y~Hup  
  V＞0時(shí)，V＞VF的正向工作區(qū)IF 隨VF指數(shù)上升 IF = IS e qVF/KT n1Yp1"2b[  
  （3）反向死區(qū) ：V＜0時(shí)pn結(jié)加反偏壓 %z=le7  
  V= - VR 時(shí)，反向漏電流IR（V= -5V）時(shí)，GaP為0V，GaN為10uA。 `'DmDg  
  （4）反向擊穿區(qū) V＜- VR ，VR 稱為反向擊穿電壓；VR 電壓對應(yīng)IR為反向漏電流。當(dāng)反向偏壓一直增加使V＜- VR時(shí)，則出現(xiàn)IR突然增加而出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象。由于所用化合物材料種類不同，各種LED的反向擊穿電壓VR也不同。 is?{MJZ_  
  1.2 C-V特性 ?g_3 [Fk  
  鑒于LED的芯片有9×9mil (250×250um)，10×10mil，11×11mil (280×280um)，12×12mil (300×300um)，故pn結(jié)面積大小不一，使其結(jié)電容（零偏壓）C≈n+pf左右。 OIGY`