LED是利用化合物材料制成pn結(jié)的光電器件。它具備pn結(jié)結(jié)型器件的電學(xué)特性：I-V特性、C-V特性和光學(xué)特性：光譜響應(yīng)特性、發(fā)光光強指向特性、時間特性以及熱學(xué)特性。
\J6T:jeS, 1、LED電學(xué)特性
W Z ZD 1.1 I-V特性 表征LED芯片pn結(jié)制備性能主要參數(shù)。LED的I-V特性具有非線性、整流性質(zhì)：單向?qū)щ娦裕赐饧诱珘罕憩F(xiàn)低接觸電阻，反之為高接觸電阻。
SYyH_0N 如左圖：
I".r`$XZ (1) 正向死區(qū)：（圖oa或oa′段）a點對于V0 為開啟電壓，當(dāng)V＜Va，外加電場尚克服不少因載流子擴散而形成勢壘電場，此時R很大；開啟電壓對于不同LED其值不同，GaAs為1V，紅色GaAsP為1.2V，GaP為1.8V，GaN為2.5V。
tG6 o^ （2）正向工作區(qū)：電流IF與外加電壓呈指數(shù)關(guān)系
TE/2}XG) IF = IS (e qVF/KT –1) -------------------------IS 為反向飽和電流 。
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