LED是利用化合物材料制成pn結(jié)的光電器件。它具備pn結(jié)結(jié)型器件的電學(xué)特性：I-V特性、C-V特性和光學(xué)特性：光譜響應(yīng)特性、發(fā)光光強(qiáng)指向特性、時(shí)間特性以及熱學(xué)特性。 `))J8j"  
  1、LED電學(xué)特性 MFdFZkpiV  
  1.1 I-V特性 表征LED芯片pn結(jié)制備性能主要參數(shù)。LED的I-V特性具有非線性、整流性質(zhì)：?jiǎn)蜗驅(qū)щ娦裕�即外加正偏壓表現(xiàn)低接觸電阻，反之為高接觸電阻。 u4*]jt;
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  如左圖： uL
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  (1) 正向死區(qū)：（圖oa或oa′段）a點(diǎn)對(duì)于V0 為開啟電壓，當(dāng)V＜Va，外加電場(chǎng)尚克服不少因載流子擴(kuò)散而形成勢(shì)壘電場(chǎng)，此時(shí)R很大；開啟電壓對(duì)于不同LED其值不同，GaAs為1V，紅色GaAsP為1.2V，GaP為1.8V，GaN為2.5V。 m=y,_Pz>U  
  （2）正向工作區(qū)：電流IF與外加電壓呈指數(shù)關(guān)系 OaCj3d>  
  IF = IS (e qVF/KT –1) -------------------------IS 為反向飽和電流 。 Z-sN4fr a  
  V＞0時(shí)，V＞VF的正向工作區(qū)IF 隨VF指數(shù)上升 IF = IS e qVF/KT
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