今天，洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院的納米電子和結(jié)構(gòu)實(shí)驗(yàn)室(LANES)宣布研發(fā)出第一款利用二硫化鉬(MoS2)構(gòu)建的芯片，它相比現(xiàn)有的硅芯片具有更高的效率，并可以減少體積。這種芯片與硅芯片最大的區(qū)別在于它可以實(shí)現(xiàn)3個(gè)原子厚的層但依舊保持穩(wěn)定的狀況，它的抗氧化性更好，且導(dǎo)電性容易被控制，這意味著制造方可以進(jìn)一步減少晶體管的尺寸并使其速度更快。 C}#$wge  

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舉例來說，它可以讓計(jì)算機(jī)芯片更為緊湊并且可以幫助柔性外表硬件的發(fā)展，應(yīng)用上而言，計(jì)算機(jī)待機(jī)模式進(jìn)入和退出可以變得更快，但目前尚不清楚這種材質(zhì)的晶體管和是能夠出現(xiàn)在用戶的日常生活中。