英國研究人員最近報告說，他們研發(fā)出一種基于“電阻性記憶體”的新型存儲設(shè)備，與現(xiàn)在廣泛使用的閃存相比，耗電量更低，而存取速度要快上一百倍。電阻性記憶體的基礎(chǔ)是憶阻材料，這種材料的特殊性在于，在外加電壓時其電阻會發(fā)生變化，隨后即使取消外加電壓，它也能“記住”這個電阻值。 7p""5hw  
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　　在此 基礎(chǔ)上開發(fā)出的存儲設(shè)備與現(xiàn)有閃存相比更快更節(jié)能，是業(yè)界近來的研發(fā)熱點。但以前開發(fā)出的這種存儲設(shè)備只能在高度真空環(huán)境中運行。 mq$mB1$3u  
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　　英國倫敦大學(xué)學(xué)院等機構(gòu)研究人員日前在《應(yīng)用物理學(xué)雜志》上報告說，他們發(fā)現(xiàn)可用硅的氧化物制作一種新的憶阻材料，相應(yīng)存儲設(shè)備可在常規(guī)環(huán)境下運行，因此應(yīng)用價值大大提高。 Dx/!^L02  
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