新制造技術(shù)有望大幅降低LED生產(chǎn)成本
據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日報(bào)道,一種新的制造技術(shù)有望大幅降低發(fā)光二極管(LED)的生產(chǎn)成本,進(jìn)一步推動其普及進(jìn)程。 這項(xiàng)由西門子旗下子公司歐司朗光電半導(dǎo)體公司的研究人員所進(jìn)行的研究,成功在硅襯底上生產(chǎn)出了氮化鎵LED芯片,取代了目前普遍使用的較為昂貴的藍(lán)寶石襯底。 硅是一種標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體材料,作為LED襯底具有尺寸大、成本低、易加工、導(dǎo)電好等優(yōu)異性能。但技術(shù)難點(diǎn)在于硅與氮化鎵的熱膨脹系數(shù)不同,在制造過程中極易產(chǎn)生應(yīng)力,從而導(dǎo)致薄膜厚度不均或破裂,因此一直未能在LED業(yè)界獲得廣泛應(yīng)用。通過一項(xiàng)特殊工藝,新技術(shù)不但避免了此前出現(xiàn)的開裂現(xiàn)象,還使新型LED的穩(wěn)定性和亮度都與傳統(tǒng)的藍(lán)寶石基底LED相當(dāng),非常適用于高功率固態(tài)照明。 LED是一種高效節(jié)能的照明方案,被認(rèn)為最有望取代傳統(tǒng)光源。然而到目前為止,LED的生產(chǎn)成本一直高于其他更成熟的照明產(chǎn)品,因此在日常生活中還沒有得到廣泛使用。通過使用新技術(shù),LED的生產(chǎn)將有望用上面積更大的硅片,這將是LED生產(chǎn)效率的一項(xiàng)重大提升。 |