節(jié)能燈LED結(jié)溫產(chǎn)生的原因：產(chǎn)生LED結(jié)溫的原因有哪些？在LED工作時，可存在以下五種情況促使結(jié)溫不同程度的上升： Np\
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a、元件不良的電極結(jié)構(gòu)，視窗層襯底或結(jié)區(qū)的材料以及導(dǎo)電銀膠等均存在一定的電阻值，這些電阻相互壘加，構(gòu)成LED元件的串聯(lián)電阻。當(dāng)電流流過P—N結(jié)時，同時也會流過這些電阻，從而產(chǎn)生焦耳熱，引致芯片溫度或結(jié)溫的升高。 j.M]F/j  
b、由于P—N結(jié)不可能極端完美，元件的注人效率不會達到100％，也即是說，在LED工作時除P區(qū)向N區(qū)注入電荷(空穴)外，N區(qū)也會向P區(qū)注人電荷(電子)，一般情況下，后一類的電荷注人不會產(chǎn)生光電效應(yīng)，而以發(fā)熱的形式消耗掉了。即使有用的那部分注入電荷，也不會全部變成光，有一部分與結(jié)區(qū)的雜質(zhì)或缺陷相結(jié)合，最終也會變成熱。 ZflB<cI  
c、實踐證明，出光效率的限制是導(dǎo)致LED結(jié)溫升高的主要原因。目前，先進的材料生長與元件制造工藝已能使LED極大多數(shù)輸入電能轉(zhuǎn)換成光輻射能，然而由于LED芯片材料與周圍介質(zhì)相比，具有大得多的折射係數(shù)，致使芯片內(nèi)部產(chǎn)生的極大部分光子(>90％)無法順利地溢出介面，而在芯片與介質(zhì)介面產(chǎn)生全反射，返回芯片內(nèi)部并通過多次內(nèi)部反射最終被芯片材料或襯底吸收，并以晶格振動的形式變成熱，促使結(jié)溫升高。 6 AO(A *  
d、顯然，LED元件的熱散失能力是決定結(jié)溫高低的又一個關(guān)鍵條件。散熱能力強時，結(jié)溫下降，反之，散熱能力差時結(jié)溫將上升。由于環(huán)氧膠是低熱導(dǎo)材料，因此P—N結(jié)處產(chǎn)生的熱量很難通過透明環(huán)氧向上散發(fā)到環(huán)境中去，大部分熱量通過襯底、銀漿、管殼、環(huán)氧粘接層，PCB與熱沉向下發(fā)散。顯然，相關(guān)材料的導(dǎo)熱能力將直接影響元件的熱散失效率。一個普通型的LED，從P—N結(jié)區(qū)到環(huán)境溫度的總熱阻在300到600℃／w之間，對于一個具有良好結(jié)構(gòu)的功率型LED元件，其總熱阻約為15到30℃／w。巨大的熱阻差異表明普通型LED元件只能在很小的輸入功率條件下，才能正常地工作，而功率型元件的耗散功率可大到瓦級甚至更高。 rwWOhD)RU  
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圖片:led護欄燈.jpg