MEMS技術(shù)被認(rèn)為是一項(xiàng)革命性技術(shù),給光通信領(lǐng)域的應(yīng)用帶來了一系列前所未有的MEMS研究熱潮.這些研究被稱為MOEMS〔微
光學(xué)電子機(jī)械
系統(tǒng)〕。人們對MEMS光開關(guān)研究始于20世紀(jì)90年代中期.雖然起步較晚,但發(fā)展較快,而且研究單位和研究者眾多.成為一種最流行的光開關(guān)制作技術(shù).貝爾實(shí)驗(yàn)室的“跌撓板”式光開關(guān),被稱為世界上第一個(gè)有實(shí)用價(jià)值的MEMS光開關(guān);美國的OMM公司的“Cros-GuaN”光開關(guān)號(hào)稱世界第一個(gè)MEMS光開關(guān),該公司的小陣列(4×4和8×8)光開關(guān)產(chǎn)品已進(jìn)入實(shí)用階段,大于32×32陣列的光開關(guān)也在開發(fā)之中;另外。美國的Onix公司也制作了基于微鏡技術(shù)的光開關(guān),其中微鏡技術(shù)是該公司的
專利技術(shù).在MEMS光開關(guān)的制作中,這些國外的研究單位和公司大多采用了MEMS平面工藝。
5RKs2eV NLev(B:OQH 一般說來,MEMS光開關(guān)從空間
結(jié)構(gòu)上可分成這樣兩種,即2D開關(guān)和3D開關(guān)。這兩種結(jié)構(gòu)在如何控制和引導(dǎo)
光束的能力方面有很大的差別,可以在光通訊網(wǎng)絡(luò)中發(fā)揮各自不同的作用。在2D開關(guān)中,微鏡的排列只有兩個(gè)位置,即開和關(guān)兩種狀態(tài),其結(jié)構(gòu)如圖3所示。這樣極大地減化了控制
電路的設(shè)計(jì),一般只需提供足夠的
驅(qū)動(dòng)電壓使微鏡發(fā)生動(dòng)作即可。但是當(dāng)要擴(kuò)展成大型光開關(guān)陣列時(shí),這種結(jié)構(gòu)的弱點(diǎn)便顯露出來了。因?yàn)楦鱾(gè)輸入輸出端口之間的光路傳輸距離各有不同,所以各端口的插入損耗也不同,這就使2D光開關(guān)只能用在端口較少的環(huán)路里。這種二維光開關(guān)陣列插人損耗小于4dB,開關(guān)時(shí)間小于10ms。由于受光程損耗的限制,最大可以實(shí)現(xiàn)32x32端口。如果要想實(shí)現(xiàn)更高端口密度,則在技術(shù)上十分困難。