實現(xiàn)高效光電探測一直是微電子領(lǐng)域和材料領(lǐng)域研究的熱點。硅基探測是眾多光電探測器中最實用化的一種方法，而構(gòu)筑于硅基底上的納米材料光電探測器研究是目前科研人員高度關(guān)注的課題。多數(shù)的構(gòu)筑于硅基底上的納米結(jié)構(gòu)采用的硅基底為表面熱氧化的硅片，一般氧化層（SiO2層）結(jié)晶性好、漏電流小、避免影響目標納米結(jié)構(gòu)本身的光電信號。然而，目前該方面的研究卻忽略了硅本身作為一種很好的吸光半導體和光電轉(zhuǎn)換的優(yōu)勢。

中科院新疆理化技術(shù)研究所環(huán)境科學與技術(shù)研究室科研人員首次利用硅片表面熱氧化層的非高質(zhì)量特點產(chǎn)生漏電流，從而不但有效利用了硅片的吸光特點，而且實現(xiàn)了將光電轉(zhuǎn)換的光電流有效輸出的目的。研究人員通過簡單工藝將不同金屬（Au、Ag、Al）電極膜構(gòu)筑在SiO2表面，實現(xiàn)了高效、穩(wěn)定的光電流輸出。研究發(fā)現(xiàn)，該方法構(gòu)筑的光電探測器感光響應(yīng)時間小于0.1毫秒，而恢復時間僅為0.2毫秒。在很低的驅(qū)動電壓如1.0毫伏及10毫伏下，光暗電流比分別達到388和40，因而可以利用納米電池器件驅(qū)動，充分體現(xiàn)了環(huán)保和低能耗特點。同時，該光電探測器在無外加驅(qū)動電壓下，同樣可以實現(xiàn)高效的光電檢測。該研究為開發(fā)硅基光電探測器提供了一種新的思路，同時為構(gòu)筑于硅基底上納米結(jié)構(gòu)光電探測器的基底信號的評估提供了參考。

該研究成果在線發(fā)表于英國皇家化學會JournalofMaterialsChemistryC上，相關(guān)研究申請了國家發(fā)明專利。

該工作得到了國家自然科學基金、中科院“百人計劃”和新疆維吾爾自治區(qū)國際合作、高層次人才等項目的資助。