技術(shù)背景 Pon0(:#1  
當(dāng)前，芯片廠(chǎng)在LED芯片電極圖案設(shè)計(jì)過(guò)程中，僅僅是針對(duì)芯片進(jìn)行相對(duì)簡(jiǎn)單的測(cè)量，獲得整體的亮度、波長(zhǎng)和電壓等參數(shù)，并不能精確地描述芯片的空間光分布情況，這樣容易導(dǎo)致芯片的色度和亮度不均勻、光源整體效率低等問(wèn)題。而由于缺乏專(zhuān)業(yè)的測(cè)試設(shè)備和測(cè)試經(jīng)驗(yàn)，LED芯片廠(chǎng)對(duì)芯片發(fā)光不均勻的現(xiàn)象束手無(wú)策，沒(méi)有直觀的數(shù)據(jù)支持，無(wú)法從根本上改進(jìn)芯片品質(zhì)。 'R99m?"  
針對(duì)這些需求，金鑒檢測(cè)推出LED芯片發(fā)光均勻度測(cè)試的業(yè)務(wù)，方便客戶(hù)了解芯片性能，認(rèn)清芯片電極設(shè)計(jì)的方向。通過(guò)LED芯片發(fā)光均勻度測(cè)試，可以從特定角度拍攝芯片影像，建立一個(gè)芯片亮度輸出的發(fā)光圖像，接收被測(cè)芯片的光信號(hào)，提供芯片發(fā)光效果圖和光強(qiáng)數(shù)據(jù)。其中，芯片發(fā)光效果圖能直觀地體現(xiàn)出芯片發(fā)光的均勻程度，判斷電極圖案設(shè)計(jì)的優(yōu)劣，明確改進(jìn)方向，優(yōu)化電極圖案。 1[-`*Ph  
發(fā)光均勻度評(píng)判電極圖案設(shè)計(jì)的優(yōu)劣 <vu~EY0.  
芯片的電極圖案對(duì)芯片的整體亮度、發(fā)光效率、電壓大小影響較大。根據(jù)芯片的發(fā)光均勻度進(jìn)行電極圖案優(yōu)化后，可以改善電流擴(kuò)展分布能力，提高電流分布的均勻性，減小電流聚集效應(yīng)，降低工作電壓，減小串聯(lián)電阻，減少焦耳熱的產(chǎn)生，減弱紅移現(xiàn)象，從而提升芯片的可靠性。 'Zqt~5=5  
優(yōu)化電極圖案的過(guò)程中，要兼顧電流擴(kuò)展性和遮光面積。例如，對(duì)于電極圖案設(shè)計(jì)，可增加低亮度區(qū)域金手指的長(zhǎng)度，來(lái)增加電流擴(kuò)展性，提升低亮度區(qū)域的亮度；同樣，也可以縮小高亮地區(qū)的金手指寬度，減少該區(qū)域的電流擴(kuò)展性，降低亮度，以達(dá)到提高芯片整體發(fā)光均勻度的目的。又例如，對(duì)于低亮度區(qū)域還可以設(shè)置電流擴(kuò)展層或增加電流擴(kuò)展層厚度，以增加電流擴(kuò)展性；相反，對(duì)于高亮度就可以設(shè)置電流阻擋層來(lái)減小電流密度，以形成均勻分布的電流，同樣可以達(dá)到提高芯片整體發(fā)光均勻度的目的。一般，在發(fā)光均勻度滿(mǎn)足要求的情況下，要盡量減少遮光面積，提升發(fā)光效率。某芯片廠(chǎng)需對(duì)其產(chǎn)品的電極圖案進(jìn)行評(píng)估，委托金鑒檢測(cè)進(jìn)行LED芯片發(fā)光均勻度測(cè)試。測(cè)試后發(fā)光效果如圖一所示，圖中芯片下面兩個(gè)焊點(diǎn)連接負(fù)極，上面兩個(gè)焊點(diǎn)連接正極，最右邊為亮度刻度，從圖中可明顯看出芯片的發(fā)光不均勻，區(qū)域1的亮度明顯過(guò)高，容易形成局部位置焦耳熱囤積，加速芯片衰老，影響使用壽命；相反地，區(qū)域2的LED量子阱卻未被充分激活，降低了芯片的發(fā)光效率。對(duì)此，金鑒建議，可以適當(dāng)增加區(qū)域1及其對(duì)稱(chēng)位置的電極間距離或減小電極厚度來(lái)降低區(qū)域1亮度，也可以減少區(qū)域2金手指間距離或增加正中間正極金手指的厚度來(lái)增加區(qū)域2亮度，以達(dá)到使芯片整體發(fā)光更加均勻的目的。 ce719n$   
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