中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生所研究員楊輝團(tuán)隊在硅上研制出第三代半導(dǎo)體氮化鎵基激光器，這也是世界上第一支可以在室溫下連續(xù)工作的硅襯底氮化鎵基激光器。相關(guān)研究成果近日刊登在《自然—光子學(xué)》。
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隨著半導(dǎo)體科技的高速發(fā)展，科技工作者發(fā)現(xiàn)基于傳統(tǒng)技術(shù)路線來進(jìn)行芯片與系統(tǒng)之間的數(shù)據(jù)通信越來越難以滿足更快的通信速度以及更高的系統(tǒng)復(fù)雜度的需求。第三代半導(dǎo)體氮化鎵在發(fā)光二極管LED和激光器等發(fā)光器件領(lǐng)域已經(jīng)實現(xiàn)了廣泛應(yīng)用，為人類的高效節(jié)能照明作出了巨大貢獻(xiàn)。 o-t!z'\l
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然而，由于第三代半導(dǎo)體氮化鎵的熱膨脹系數(shù)約是硅的兩倍，在硅襯底上高溫（1000℃左右）生長沉積的氮化鎵材料在降溫時傾向于快速收縮，受到硅襯底向外拉扯的巨大張應(yīng)力，因此氮化鎵材料在降到室溫過程中通常會發(fā)生龜裂，產(chǎn)生的微裂紋和其他缺陷嚴(yán)重影響材料質(zhì)量和器件性能。 yM34G