高分辨透射電子顯微鏡觀察表明，僅僅是在一個(gè)30納秒的激光脈沖后，碳化硅（SiC）襯底就融化并分離成了碳層和硅層。更多的脈沖導(dǎo)致碳層組織成石墨烯，而硅以氣體的形式離開。 #2r}?hP/m  
6JKqn~0Kk  
atXS-bg*  
　　我們所有的智能手機(jī)都有閃閃發(fā)光的AMOLED顯示屏。在這些顯示屏的每一個(gè)像素背后都隱藏著至少兩個(gè)用激光退火技術(shù)批量制造的硅晶體管。傳統(tǒng)的方法通常使用高于1000°C的溫度來制造它們，而激光技術(shù)可以在低溫下達(dá)到相同的結(jié)果，甚至是在塑料基板（熔化溫度低于300°C）上。有趣的是，類似的工藝也可以被用來產(chǎn)生石墨烯晶體。石墨烯是一種由碳制成的強(qiáng)而薄的納米材料，其導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性引起了世界各國科學(xué)家的關(guān)注。