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中科院物理所實(shí)現(xiàn)基于拓?fù)滢D(zhuǎn)換材料的電解質(zhì)突觸晶體管

發(fā)布:cyqdesign 2019-04-28 17:10 閱讀:1878
隨著人類社會(huì)數(shù)據(jù)量的急劇增加以及數(shù)據(jù)類型復(fù)雜程度的提高,類似于人腦的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)型信息處理模式效率將會(huì)明顯優(yōu)于傳統(tǒng)架構(gòu)計(jì)算機(jī)。開(kāi)發(fā)符合神經(jīng)形態(tài)計(jì)算特性的電子器件進(jìn)而構(gòu)建大規(guī)模人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò),成為未來(lái)信息科技發(fā)展的一個(gè)重要方向。功能氧化物材料物理性質(zhì)對(duì)外來(lái)離子十分敏感,通過(guò)電解質(zhì)調(diào)控的方法在界面處進(jìn)行離子交換可以有效地控制其電導(dǎo)性質(zhì)的變化,逐漸成為神經(jīng)形態(tài)器件設(shè)計(jì)研究中很有潛力的方案。 `#w`-  
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中國(guó)科學(xué)院物理研究所/北京凝聚態(tài)物理國(guó)家研究中心光物理重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室研究員金奎娟和中科院院士楊國(guó)楨領(lǐng)導(dǎo)的L03組一直致力于激光分子束外延方法制備高質(zhì)量的鈣鈦礦異質(zhì)結(jié)及其物性調(diào)控的研究,該課題組副研究員葛琛等通過(guò)離子液體調(diào)控LSMO薄膜實(shí)現(xiàn)了四個(gè)量級(jí)以上的電阻變化,并提出離子液體中的水與氧化物界面電化學(xué)離子交換過(guò)程起主要作用(Adv. Mater. Interfaces 2, 1500407 (2015));之后,選擇可以容納大量插入離子的A位缺失鈣鈦礦結(jié)構(gòu)WO3作為模型體系進(jìn)行H+離子液體調(diào)控并設(shè)計(jì)突觸晶體管(Adv. Mater. 30, 1801548 (2018); J. Mater. Chem. C 5, 11694 (2017));最近,通過(guò)O2-離子液體調(diào)控拓?fù)滢D(zhuǎn)換材料(SrFeO2.5?SrFeO3)設(shè)計(jì)了高性能突觸晶體管,取得一些進(jìn)展。 E< Ini'od[  
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研究人員通過(guò)激光分子束外延技術(shù)制備出高質(zhì)量SrFeO2.5薄膜,并利用離子液體調(diào)控O2-離子的插入和析出,在SrFeO2.5中通過(guò)電場(chǎng)實(shí)現(xiàn)其鈣鐵石相與鈣鈦礦相的拓?fù)滢D(zhuǎn)換。在相轉(zhuǎn)換過(guò)程中伴隨著晶體結(jié)構(gòu)、電導(dǎo)態(tài)及光學(xué)吸收特性的巨大變化,且相變后的結(jié)構(gòu)、性能可以長(zhǎng)久保持(一年內(nèi)未有變化)。相比現(xiàn)在主要研究的基于H+注入的突觸晶體管保持特性(分鐘-小時(shí)量級(jí))而言,這類拓?fù)滢D(zhuǎn)換材料的保持特性非常優(yōu)異。 Af{K#R8!  
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基于此拓?fù)湎噢D(zhuǎn)換材料的電解質(zhì)調(diào)控特性,研究人員將SrFeO2.5薄膜制備成電解質(zhì)晶體管,以SrFeOX薄膜作為溝道材料,在離子液體/氧化物界面強(qiáng)電場(chǎng)作用下,通過(guò)向溝道插入和析出O2-離子實(shí)現(xiàn)了多個(gè)穩(wěn)定電導(dǎo)態(tài)的可逆變化。該器件電導(dǎo)非常低(~5 nS),為低功耗大規(guī)模神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)構(gòu)建提供了很好的器件基礎(chǔ)。進(jìn)一步,他們實(shí)現(xiàn)了人工突觸器件的重要功能,包括突觸權(quán)重增強(qiáng)和減弱、突觸的短長(zhǎng)時(shí)記憶可塑性以及前后突觸的時(shí)間可塑性。此外,他們利用反向傳播算法神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模擬器,構(gòu)建了基于此鐵氧體突觸晶體管的三層人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò),實(shí)現(xiàn)對(duì)標(biāo)準(zhǔn)手寫(xiě)數(shù)字庫(kù)(MNIST)的高精度識(shí)別。該工作首次提出的基于拓?fù)湎噢D(zhuǎn)換材料的突觸晶體管綜合性能優(yōu)異,為新型高性能神經(jīng)突觸器件的研究提供了新思路。完成工作主要人員包括碩士生劉昌祥和副教授周慶莉(首師大)、研究員谷林團(tuán)隊(duì)(物理所)等。研究成果發(fā)表在《先進(jìn)材料》(Advanced Materials)上。 t+`>zux5(T  
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圖1. 離子液體調(diào)控誘導(dǎo)拓?fù)湎噢D(zhuǎn)換
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圖2. 突觸晶體管基本性質(zhì)
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圖3. SrFeOx突觸晶體管陣列長(zhǎng)程圖形化記憶過(guò)程
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以上工作得到國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、國(guó)家自然科學(xué)基金、中科院等的資助,并得到中科院青促會(huì)的支持。 qz2j55j   
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論文鏈接:https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.201900379
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