半導(dǎo)體材料及芯片的歷史 s>6h]H  
　　第一代：以硅材料為代表的第一代半導(dǎo)體材料目前仍然是最主要的半導(dǎo)體器件材料。但是硅材料帶隙(禁帶)較窄和擊穿電場較低等物理屬性的特點限制了其在光電子領(lǐng)域和高頻高功率器件方面的應(yīng)用。 @)h>vg  
　　第二代：20世紀(jì)90年代以來，隨著無線通信的飛速發(fā)展和以光纖通信為基礎(chǔ)的信息高速公路與互聯(lián)網(wǎng)的興起，以砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)為代表的第二代半導(dǎo)體材料開始嶄露頭角。目前GaAs幾乎壟斷了手機制造中的功放器件市場。 <h:xZtz  
　　第三代：第三代半導(dǎo)體材料的興起以GaN(氮化鎵)材料P型摻雜的突破為起點，以高亮度藍光發(fā)光二極管(LED)和藍光激光器研制成功為標(biāo)志的。 DK?aFSf\